IGBT是一种新型电力半导体器件，兼具MOSFET与BJT的特点，简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。

根据工作电压的高低，IGBT模块一般被划分为三类:低压、中压和高压，低压IGBT模块一般用于消费电子、汽车零部件领域，中压IGBT模块一般用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域，高压IGBT模块一般用于轨道交通、新能源发电、智能电网等领域，其中新能源汽车领域需求的快速增长是高端IGBT市场规模增长最重要的驱动因素之一，营收占比达31%。

IGBT行业主要包括设计、制造、封测三大环节，根据产业链分工的差异划分为Fabless、Foundry与IDM三种商业模式。

 SiC性能优良但短期难替代IGBT，新能源汽车普及在即，有望带动车规级IGBT放量增长。IGBT技术不断革新，已经迭代7代，朝着“小尺寸、高功率、低损耗”方向发展。SiCMOSFET虽性能优良，但在成本与可靠性上不具优势，故目前全球产业化尚处起步阶段。新能源汽车行业临近拐点之年，高端车与低端车双双加速放量，预计2025年销量有望达505万辆，在新能源汽车等下游应用市场蓬勃发展的拉动下，IGBT供不应求，IGBT行业将持续向好发展，我们预计国内车规级IGBT2025年市场空间为152亿元，2019-2025年CAGR约27%。

国内龙头突围IGBT市场，有望通过技术升级和低价换量实现进口替代。国内车规级IGBT行业呈寡头垄断格局，英飞凌占近六成份额，比亚迪破局而入，市场份额为18%，国产化程度比较低。

技术上，英飞凌、三菱等国际龙头领先国内龙头1代左右，且实现了产品低、中、高压全覆盖;成本上，低价材料叠加高效生产，使得国际龙头成本占优，再考虑到其品牌高定价，故毛利率水平高于国内龙头。

目前国内IGBT对外依存度超90%，进口替代迫在眉睫，以比亚迪、斯达半导为代表的国内龙头正在加速推进IGBT国产化。

未来在与国际龙头竞争中，国内龙头有望在技术与成本上双管齐下，一方面加快IGBT技术的自主研发，缩小与国际水平差距，另一方面扩产降本，以更低价格换取更多市场，真正实现核“芯”自主可控。